Yazarlar:
Sabahattin Doruk Yıldön, Utku Tuncel, Serkan Topaloğlu
Yayın:
2022 30th Signal Processing and Communications Applications Conference (SIU)
Özet:
Bu çalışma, 0.25-um Gallium Arsenide (GaAs) (pHEMT) süreci üzerine dayanmaktadır. GaAs pHEMT süreci, yüksek çıkış gücü sağlama ve yüksek maliyetine rağmen makul bir stabilite sunma açısından en uygun teknoloji olarak seçilmiştir. 24 GHz radyo frekansı entegre devre (RFIC) Güç Amplifikatörü tasarlanmış ve simüle edilmiştir. Elektromanyetik (EM) simülasyon ve yerleşim tasarımı, Cadence Şirketi'ne ait AWR Design Environment kullanılarak yapılmıştır. Güç amplifikatörü, Class-AB topolojisiyle 2 yollu birleşim ağı olarak tasarlanmıştır. Bu RFIC Güç Amplifikatörü tasarımı, 8.08 dB güç kazancı, %37.3 Power Added Efficiency (PAE), 24.82 dBm P 1dB, 25.37 dBm P 3dB ve 28.14 dBm P SAT değerleri elde etmekte olup, 3.36 mm² (1.2 mm x 2.8 mm) boyutlarındadır.
Anahtar Kelimeler:
GaAs pHEMT , Power Added Efficiency , RFIC , Power Amplifier , P1dB , P3dbB , PSAT
Link: