Yazarlar:
Emre Erden, Mustafa Tekbaş, Ogulcan Burak Boz, Serkan Topaloğlu
Yayın:
2022 30th Signal Processing and Communications Applications Conference (SIU)
Özet:
Bu makale, L Bandı'ndaki belirtilen frekans aralıklarında (L1, L2, L5) çalışan Güç Amplifikatörlerinin (PA) analizini, tasarımını ve gerçekleştirilmesini içermektedir. Bu PA, %58 verimlilikle 18 W çıkış gücü sağlamaktadır. PA, üç farklı amplifikatör aşamasından oluşmaktadır. PA'da GaN-on-SiC transistörü kullanılmaktadır. Gerçekleştirilen yapının odak noktası verimlilik ve doğruluktur. Bu gereksinimler, transistör teknolojisi seçimi, empedans eşleme devresi tasarımı ve bias noktası seçimi ile sağlanmıştır. Bu tasarımla, L bandı aralığında çalışan sinyal jammerları veya amplifikatör ünitelerinde kullanılabilecek bir Güç Amplifikatörü üretilmiştir.
Anahtar Kelimeler:
Power Amplifier , Radio Frequency , Power Added Efficiency (PAE) , L Band , GaN-on-SiC , Measurement of Power Amplifier
Link: