GaAs pHEMT Teknolojisi Kullanarak D-band RFIC Güç Amplifikatörü Tasarımı

ÖZET

Bu projenin amacı, D-Band’da çalışan ve merkez frekansı 140 GHz olan bir Güç Yükselteci (Power Amplifier) tasarlamaktır. Tasarım öncesinde literatür taraması yapılmış, teknik gereksinimler belirlenmiş ve devre için uygun bir topoloji seçilmiştir. Daha sonra yapılan çeşitli analizlerle, istenen teknik özelliklere ulaşmak için gerekli olan yük ve kaynak empedansı değerleri belirlenmiş ve tasarım ideal bileşenler kullanılarak gerçekleştirilmiştir. İdeal bileşenlerle tasarlanan devre istenen teknik özelliklere ulaştığında, devre uygulamaya geçirilmiş ve yerleşim (layout) tasarımı oluşturulmuştur. Devrenin nihai teknik özellikleri şu şekilde elde edilmiştir: 𝑃𝑜𝑢𝑡 = 12.41 dBm, 𝑃𝐺𝑎𝑖𝑛=13.41 dBm, PAE=3.437%. Proje sırasında karşılaşılan en büyük zorluk, çalışma frekansının transistorun ft değerine çok yakın olması nedeniyle bazı simülasyonlarda anlamsız verilerin ortaya çıkması olmuştur. Tasarlanan yerleşim sonucunda çip boyutu 1.19 mm² olarak belirlenmiştir. Projenin en büyük katkısı, bu frekansta ve bu süreçle tasarlanan tek Güç Yükselteci olması ve 6G iletişim teknolojilerinde kullanılabilir olmasıdır.

Yazar
Murat Said Yazıcı